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CXMT 5세대 D램 양산, 모바일용 LPDDR5X
IT조선
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CXMT는 데이터를 저장하는 메모리 셀의 핵심 구조 간 간격을 11.95나노미터(㎚)까지 좁혔고 설명했다. 구조 사이가 촘촘해지면 같은 크기의 칩에 더 많은 메모리를 넣을 수 있고, 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 칩 수도 늘어난다.
CXMT는 이를 위해 여러 차례 회로 패턴을 형성하는 ‘쿼드러플 패터닝(QTP)’ 방식을 적용했다. 미국의 반도체 장비 수출 규제가 이어지는 가운데 컴퓨터 시뮬레이션과 중국 반도체 장비업체들과의 공동 작업을 통해 핵심 생산 공정을 개발했다고 회사 측은 설명했다.
실제 제품 양산도 시작했다. CXMT는 새 공정으로 만든 24Gb(기가비트) LPDDR5X 2종을 공개했다. 스마트폰 등 모바일 기기에 주로 쓰이는 저전력 D램으로, 기존 자사 동급 제품보다 저장 용량이 50% 늘었다. 8Gb 칩을 기준으로 웨이퍼 한 장에서 만들 수 있는 전체 칩 수도 이전 4세대 공정보다 최소 50% 증가했다고 밝혔다. 다만 이는 불량 칩을 걸러내기 전 생산 가능한 전체 칩 수를 기준으로 한 수치다.
CXMT는 중국 D램 산업을 대표하는 업체다. 지난 7월 기업공개(IPO)를 통해 579억2000만위안(약 86억달러)을 조달했고, 최근에는 D램을 넘어 낸드플래시 시장 진출도 추진하고 있다. 로이터는 지난 18일 CXMT가 베이징 신공장에 낸드 연구·개발 생산라인을 구축할 계획이라고 보도했다.
한재희 기자
onej@chosunbiz.com