[단독] “손익분기점 넘겼다”… 삼성전자 ‘1c D램’ 수율 60%까지 개선 | 종합

26.01.16 617 읽음

[단독] “손익분기점 넘겼다”… 삼성전자 ‘1c D램’ 수율 60%까지 개선

IT조선

삼성전자의 차세대 고대역폭메모리(HBM4)에 적용되는 10나노급 6세대(1c) D램 수율이 60% 수준까지 개선된 것으로 확인됐다. D램 양산에서 손익분기점을 넘는 수율을 확보하면서 HBM4 램프업(양산 확대)을 뒷받침할 토대를 마련한 것이다. 수율보다 속도를 우선한 삼성전자의 전략적 판단이 결과적으로 맞아 떨어졌다는 평가가 나온다.

16일 삼성전자 내부에 정통한 관계자에 따르면 최근 1c D램 수율이 60% 수준에 육박했다. 이 관계자는 “1c D램 양산에서 손익분기점을 확실히 넘겼다”고 설명했다.

앞서 삼성전자는 1c D램 개발 과정에서 일정 수준의 수율을 확보하자 수율 개선을 전담하던 태스크포스(TF)를 지난해 12월 중 예정대로 해체했다. 400~500명 규모 인력은 평택 생산라인과 기존 기술 조직으로 분산 배치됐다.

판단의 기준선은 콜드 테스트 ‘수율 50%’다. 당장 수율이 나오지 않더라도 엔비디아 공급망에 신속히 진입해 시장 점유율을 선제 확보하는 것이 시급하다는 경영진의 결단이었다.

업계에서는 이번 1c D램 양산 전략을 두고 삼성전자의 ‘속도전 복귀’로 해석한다. 수율 안정화를 중시하며 양산 전환에 신중했던 기조에서 벗어나, 일정 수준의 수율을 확보하면 곧바로 양산과 시장 대응에 나서는 과거 삼성의 방식으로 돌아왔다는 평가다. 실제 삼성전자는 1c D램 양산에서 경쟁사보다 앞서 있다는 내부 판단을 공유 중인 것으로 알려졌다.

삼성전자가 속도를 중시한 배경에는 엔비디아를 비롯한 고객사 친화적 판단이 자리한다. 삼성전자 내부에 정통한 관계자는 “엔비디아 관점에서 보면 삼성전자의 HBM4 개발·양산 전환 속도가 경쟁사보다 빠르다고 판단했을 것이다”라며 “이후 양사의 전체 협업 페이스가 달라진 측면이 있다”고 전했다.

삼성전자는 HBM4에 1c D램과 4나노 공정 기반 로직 다이를 적용해 전력 효율과 동작 속도를 끌어올렸다. 내부 기술 평가에서 초당 11Gbps 이상 수준의 성능을 확보했고, 엔비디아가 요구하는 고속 사양에도 근접했다는 분석이 뒤따른다.

이 같은 자신감은 삼성전자의 중장기 판매 전망에도 반영됐다. 삼성전자는 2026년 HBM 판매량이 올해 대비 2.5배 이상 증가할 것으로 내다봤다. 1c D램 수율 개선 및 램프업을 기반으로 HBM4 양산 확대 본격화 기대감을 드러낸 것으로 풀이된다.

남은 것은 엔비디아로부터 퀄 테스트 통과다. 업계에 따르면 엔비디아는 2025년 4분기 중 삼성전자, SK하이닉스에 HBM4 납품 기준을 상향 조정해 전달했다. 양사는 HBM4의 전력 효율, 발열 관리, 처리 속도 등 핵심 성능 지표들을 엔비디아 요구 수준에 맞추고 있다.

시장조사업체 트렌드포스는 엔비디아의 HBM4 성능 상향 요구로 인해 “HBM4의 대량 양산이 2분기로 넘어갈 수 있다”고 전망했다.

이광영 기자

gwang0e@chosunbiz.com